AO3434概述
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:-
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:52 毫欧 @ 4.2A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.5A
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.8V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:7.2nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :340pF @ 15V
功率 - 最大:1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
包装:带卷 (TR)
供应商设备封装:*
其它名称:785-1018-2