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类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:-
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:52 毫欧 @ 4.2A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.5A
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.8V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:7.2nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :340pF @ 15V
功率 - 最大:1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
包装:带卷 (TR)
供应商设备封装:*
其它名称:785-1018-2
AO3434-VB可广泛应用于不同的电子领域,具有以下主要应用特点:
- DC-DC转换器
- 电源开关
- 电机驱动
- 电源管理模块
SOT23;N—Channel沟道,30V;6.5A;RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.2~2.2V;
领域和模块应用:
- DC-DC转换器:适用于直流-直流转换器,实现有效的能量转换。
- 电源开关:用于电源开关模块,实现电源的开关控制。
- 电机驱动:适用于电机驱动电路,实现电机的高效控制。
- 电源管理模块:用于各种电源管理模块,确保设备获得稳定的电源供应。
这些参数和应用信息有助于工程师在设计中选择适当的元件,以满足其特定应用领域的需求。