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BC857BLT1

浏览次数:459次

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BC857BLT1中文资料规格参数

BC857BLT1概述

类型:PNP
集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):45
集电极最大电流Ic(max)(mA):0.100
直流电流增益hFE最小值(dB):220
直流电流增益hFE最大值(dB):475
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100
封装/温度(℃):SOT23,(TO236AB)/-55~150

BC857BLT1数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
General Purpose Transistors(PNP Silicon)通用晶体管( PNP硅)
PDF
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
5300
LRC/乐山
23+21+
SOT-23
有更多数量品牌,回收海关工厂新货,配套服
深圳
18000
MOTOROLA/摩托罗拉
96+
SOT-23
原装现货
深圳
7000
M
3000
ONSEMI/安森美
01+
SOT-23
原装现货实单请报接受价
9000
ONSEMI/安森美
0419+
SOT-23
原装正品深圳北京现货可出接受价
北京

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