类别：分离式半导体产品
家庭：晶体管(BJT) - 单路
系列：-
晶体管类型：NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大）：4A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：32V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 200mA, 2A
电流 - 集电极截止（最大）：100µA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：40 @ 10mA, 5V
功率 - 最大：36W
频率 - 转换：3MHz
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-126-3
包装：管件
供应商设备封装：*
其它名称：497-7169-5STBD435STBD435-ND