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BSP52T1

浏览次数:414次

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BSP52T1中文资料规格参数

BSP52T1概述

制造商: ON Semiconductor
产品种类: 达林顿晶体管
配置: Single
晶体管极性: NPN
封装 / 箱体: SOT-223-4
集电极—发射极最大电压 VCEO: 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—基极电压 VCBO: 90 V
峰值直流集电极电流: 1 A
功率耗散: 0.8 W
最大工作温度: + 150 C
最小工作温度: - 65 C
封装: Reel
集电极连续电流: 1 A
直流电流增益 hFE 最小值: 1000 @ 150m A @ 10 V or 2000 @ 500m A @ 10 V
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
35000
ONSEMI/安森美
21+22+23+
N/A
进口原装代理现货或订货
1074
ONSEMI/安森美
995
ONSEMI/安森美
05+
SOT223
深圳现货/只做原装
深圳
1000
ONSEMI/安森美
0049+
SOT-223
只做原装回收电子料
148
ONSEMI/安森美
21+20+19+
全新进口原装一周货期
香港

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