BSS123LT1G是一款N沟道功率MOSFET，漏极-源极电压为100VDC，漏极电流为170mA。

• 额定电压(DC)：100 V

• 额定电流：170 mA

• 额定功率：0.225 W

• 无卤素状态：Halogen Free

• 通道数：1

• 针脚数：3

• 漏源极电阻：6 Ω

• 极性：N-Channel

• 耗散功率：225 mW

• 阈值电压：800 mV

• 输入电容：20pF @25V

• 漏源极电压(Vds)：100 V

• 漏源击穿电压：100 V

• 栅源击穿电压：±20.0 V

• 连续漏极电流(Ids)：170 mA

• 正向电压(Max)：1.3 V

• 输入电容(Ciss)：20pF @25V(Vds)

• 额定功率(Max)：225 mW

• 工作温度(Max)：150 ℃

• 工作温度(Min)：-55 ℃

• 耗散功率(Max)：225mW (Ta)

• 安装方式：Surface Mount

• 引脚数：3

• 封装：SOT-23-3

• 长度：2.9 mm

• 宽度：1.3 mm

• 高度：0.94 mm

• AEC-Q101认证

• PPAP能力

• 应用

• 车用