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BSS138是采用飞兆半导体专有的高单元密度DMOS技术生产的50V N通道逻辑电平增强模式场效应晶体管。该器件的设计旨在最大程度地降低导通电阻,同时提供坚固,可靠和快速的开关性能。它特别适用于低电压,低电流应用,例如小型伺服电机控制,功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。该产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
通道类型 | N | 晶体管配置 | 单 |
最大连续漏极电流 | 220 mA | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
最大漏源电压 | 50 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
封装类型 | SOT-23 | 长度 | 2.92mm |
安装类型 | 表面贴装 | 最高工作温度 | +150 °C |
引脚数目 | 3 | 高度 | 0.93mm |
最大漏源电阻值 | 3.5 Ω | 晶体管材料 | Si |
通道模式 | 增强 | 最低工作温度 | -55 °C |
最大栅阈值电压 | 1.5V | 宽度 | 1.3mm |
最小栅阈值电压 | 0.8V | 典型栅极电荷@Vgs | 1.7 nC @ 10 V |
最大功率耗散 | 360 mW |
高密度电池设计,可实现极低的RDS(ON)
坚固可靠
±20V栅极电源电压(VGSS)
350°C/W热阻,与环境连接
紧凑型工业标准SOT-23表面贴装封装。
0.22 A, 50 V. R
= 3.5?@ V
= 10 V. R
= 6.0 ?@ V
= 4.5 V
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 交易说明 |
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