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BSS138

浏览次数:3067次 更新时间:2021-07-15 14:02

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概述

BSS138是采用飞兆半导体专有的高单元密度DMOS技术生产的50V N通道逻辑电平增强模式场效应晶体管。该器件的设计旨在最大程度地降低导通电阻,同时提供坚固,可靠和快速的开关性能。它特别适用于低电压,低电流应用,例如小型伺服电机控制,功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。该产品是一般用途,适用于许多不同的应用。

特性

  • 高密度电池设计,可实现极低的RDS(ON)

  • 坚固可靠

  • ±20V栅极电源电压(VGSS)

  • 350°C/W热阻,与环境连接

  • 紧凑型工业标准SOT-23表面贴装封装。

  • 0.22 A, 50 V. R

  • = 3.5?@ V

  • = 10 V. R

  • = 6.0 ?@ V

  • = 4.5 V


参数

通道类型N晶体管配置
最大连续漏极电流220 mA最大栅源电压-20 V、+20 V
最大漏源电压50 V每片芯片元件数目1
封装类型SOT-23长度2.92mm
安装类型表面贴装最高工作温度+150 °C
引脚数目3高度0.93mm
最大漏源电阻值3.5 Ω晶体管材料Si
通道模式增强最低工作温度-55 °C
最大栅阈值电压1.5V宽度1.3mm
最小栅阈值电压0.8V典型栅极电荷@Vgs1.7 nC @ 10 V
最大功率耗散360 mW


引脚图与功能

5.png

工作原理

暂无BSS138的工作原理信息

替代产品

暂无BSS138的替代产品信息

PDF资料

暂无BSS138的PDF资料信息

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