晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:230mA
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):3.5ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:0.36W
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SMD标号:SKs
功率, Pd:0.36W
外宽:3.05mm
外部深度:2.5mm
外部长度/高度:1.12mm
封装类型:SOT-23
带子宽度:8mm
总功率, Ptot:0.36W
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电压变化率 dv/dt:6000V/μs
电流, Id 连续:0.23A
电流, Idm 脉冲:0.92A
结温, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
阈值电压, Vgs th 最低:0.6V
阈值电压, Vgs th 最高:1.4V