INFINEON  BSS83PH6327XTSA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -330 mA, -60 V, 1.4 ohm, -10 V, -1.5 V

额定功率：0.36 W

通道数：1

针脚数：3

漏源极电阻：1.4 Ω

极性：P-Channel

耗散功率：360 mW

阈值电压：2 V

漏源极电压(Vds)：60 V

漏源击穿电压：60 V

连续漏极电流(Ids)：0.33A

上升时间：71 ns

输入电容(Ciss)：78pF @25V(Vds)

下降时间：61 ns

工作温度(Max)：150 ℃

工作温度(Min)：-55 ℃

耗散功率(Max)：360 mW

安装方式：Surface Mount

引脚数：3

封装：SOT-23-3

长度：2.9 mm

宽度：1.3 mm

高度：1.1 mm

工作温度：-55℃ ~ 150℃ (TJ)

Infineon** SIPMOS? 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。