晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 60 V, 0.0056 ohm, 10 V, 2.8 V

表面贴装型 N 通道 40A（Tc） 2.1W（Ta），46W（Tc） PG-TSDSON-8-FL

额定功率：46 W

通道数：1

针脚数：8

漏源极电阻：5.6 mΩ

极性：N-Channel

耗散功率：46 W

阈值电压：2.1 V

输入电容：1200 pF

漏源极电压(Vds)：60 V

漏源击穿电压：60 V

连续漏极电流(Ids)：40A

上升时间：3 ns

反向恢复时间：23 ns

正向电压(Max)：1 V

输入电容(Ciss)：1500pF @30V(Vds)

下降时间：3 ns

工作温度(Max)：150 ℃

工作温度(Min)：55 ℃

耗散功率(Max)：2.1W (Ta), 46W (Tc)

安装方式：Surface Mount

引脚数：8

封装：PG-TSDSON-8-FL

长度：3.3 mm

宽度：3.3 mm

高度：1 mm

封装：PG-TSDSON-8-FL

工作温度：-55℃ ~ 150℃ (TJ)