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DMG6601LVT-7

浏览次数:34次 更新时间:2021-10-09 14:18

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概述

DMG6601LVT-7这款金属氧化物半导体场效应晶体管设计用于最小化导通电阻(Ros(cN)),同时保持出色的开关性能。非常适合高效电源管理应用。

特性

  • 互补金属氧化物半导体场效应晶体管

  • 低导通电阻

  • 低输入电容

  • 快速开关速度

  • 完全无铅且完全符合RoHS标准(注释1和2)

  • 无卤素和锑。“绿色”装置(注释3)

  • 符合AEC-Q101高可靠性标准

参数

  • 额定功率:0.54 W

  • 针脚数:6

  • 漏源极电阻:0.034 Ω

  • 极性:N-Channel, P-Channel

  • 耗散功率:1.3 W

  • 阈值电压:1 V

  • 漏源极电压(Vds):30 V

  • 连续漏极电流(Ids):3.8A/2.5A

  • 输入电容(Ciss):422pF @15V(Vds)

  • 额定功率(Max):850 mW

  • 工作温度(Max):150 ℃

  • 工作温度(Min):-55 ℃

  • 耗散功率(Max):850 mW

  • 安装方式:Surface Mount

  • 引脚数:6

  • 封装:TSOT-23-6

引脚图与功能

DMG6601LVT-7引脚图

工作原理

暂无DMG6601LVT-7的工作原理信息

替代产品

暂无DMG6601LVT-7的替代产品信息

PDF资料

厂商 PDF简要描述 下载
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