DMP3099L-7这款金属氧化物半导体场效应晶体管旨在最小化导通电阻(ResioN)，同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

• 通道数：1

• 针脚数：3

• 漏源极电阻：0.065 Ω

• 极性：P-Channel

• 耗散功率：1.08 W

• 阈值电压：1 V

• 输入电容：563 pF

• 漏源极电压(Vds)：30 V

• 漏源击穿电压：30 V

• 连续漏极电流(Ids)：3.8A

• 上升时间：5 ns

• 输入电容(Ciss)：563pF @25V(Vds)

• 额定功率(Max)：1.08 W

• 下降时间：15 ns

• 工作温度(Max)：150 ℃

• 工作温度(Min)：55 ℃

• 耗散功率(Max)：1080 mW

• 安装方式：Surface Mount

• 引脚数：3

• 封装：SOT-23-3

• 低导通电阻

• 低栅极阈值电压

• 低输入电容

• 快速开关速度

• 低输入/输出泄漏

• 完全无铅且完全符合RoHS标准(注释1和2)

• 无卤素和锑。“绿色”装置(注释3)

• 符合AEC-Q101高可靠性标准