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具有低R DS(on) MOSFET 的高效功率级(高达97%)(T J = 25°C时为110mΩ )
工作电源电压高达52 V
DRV8412(降低功率垫)：在双全桥模式下高达2×3A的连续输出电流(2×6-A峰值)或在并行模式下高达6A的连续电流(12-A峰值)
DRV8432(功率垫向上)：在双全桥模式下高达2×7A的连续输出电流(峰值2×12A)或在并行模式下高达14A的连续电流(峰值24A )
PWM工作频率高达500 kHz
集成的自保护电路，包括欠压，过热，过载和短路
可编程逐周期电流限制保护
每个半桥的独立电源和接地引脚
智能栅极驱动和交叉传导预防
无需外部缓冲或肖特基二极管
制造商包装说明 | HSSOP-36 |
符合REACH | 是 |
符合欧盟RoHS | 是 |
符合中国RoHS | 是 |
状态 | 活性 |
模拟IC-其他类型 | 步进电机控制器 |
JESD-30代码 | R-PDSO-G36 |
JESD-609代码 | e4 |
输出配置 | 半桥(4) |
功能数量 | 2 |
端子数 | 36 |
接口 | 脉宽调制 |
负载类型 | 感应式 |
技术 | 功率MOSFET |
最低工作温度 | -40℃ |
最高工作温度 | 85℃ |
最大输出电流 | 15.0安 |
包装主体材料 | 塑料/环氧树脂 |
包装代码 | HSSOP |
包装等效代码 | SSOP36..56 |
包装形状 | 长方形 |
包装形式 | 小轮廓，散热片/鼻塞，收缩螺距 |
峰值回流温度(℃) | 260 |
资格状态 | 不合格 |
座高 | 3.5毫米 |
子类别 | 运动控制电子 |
最大电源电流(Isup) | 12.0毫安 |
电源电压标称(Vsup) | 50.0伏 |
电源电压最小值(Vsup) | 0.0伏 |
电源电压最大值(Vsup) | 52.5伏 |
安装类型 | 表面贴装 |
温度等级 | 产业 |
终端完成 | 镍/钯/金(Ni / Pd / Au) |
终端表格 | GULL WING |
端子间距 | 0.65毫米 |
终端位置 | DUAL |
时间@峰值回流温度最大值(秒) | 未标明 |
长度 | 15.9毫米 |
宽度 | 11.0毫米 |
| 厂商 | PDF简要描述 | 下载 |
|---|---|---|
| TI | 产品型号DRV8432DKDR描述IC桥驱动器PAR 36HSSOP分类集成电路(IC)，PMIC-完整的半桥驱动器制造商德州仪器打包切割带(CT)零件状态活性<td style="border-width: 1px; border-style: so |
| 供应商 | 数量 | 厂商 | 批号 | 封装 | 交易说明 | 仓库 | |
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