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DTC114EET1G

浏览次数:169次 更新时间:2021-10-12 15:45

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概述

DTC114EET1G这一系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)包含一个晶体管,该晶体管具有由两个电阻组成的单片偏置网络;串联基极电阻器和基极-发射极电阻器。快速公交系统通过将这些单独的组件集成到一个设备中来消除它们。快速公交系统的使用可以降低系统成本和电路板空间。

特性

  • 简化电路设计

  • 减少电路板空间

  • 减少元件数量

  • S和NSV前缀适用于要求独特的现场和控制变更要求的汽车和其他应用;AEC-Q101合格且支持PPAP

  • 这些器件无铅、无卤素/无BFR,符合RoHS标准

参数

  • 额定电压(DC):50.0 V

  • 额定电流:70.0 mA

  • 额定功率:200 mW

  • 无卤素状态:Halogen Free

  • 输出电压:≥300 mV

  • 极性:NPN

  • 耗散功率:0.3 W

  • 击穿电压(集电极-发射极):50 V

  • 集电极最大允许电流:100mA

  • 最小电流放大倍数(hFE):35 @5mA, 10V

  • 最大电流放大倍数(hFE):35

  • 额定功率(Max):200 mW

  • 工作温度(Max):150 ℃

  • 工作温度(Min):-55 ℃

  • 耗散功率(Max):338 mW

  • 安装方式:Surface Mount

  • 引脚数:3

  • 长度:1.65 mm

  • 宽度:0.9 mm

  • 高度:0.8 mm

  • 封装:SC-75-3

引脚图与功能

DTC114EET1G引脚图

工作原理

暂无DTC114EET1G的工作原理信息

替代产品

暂无DTC114EET1G的替代产品信息

PDF资料

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