类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：PowerTrench®
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：50 毫欧 @ 4A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：8.1nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：470pF @ 15V
功率 - 最大：800mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SuperSOT-6
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：*
其它名称：FDC658APTR