产品种类：MOSFET小信号
RoHS：是
配置：Dual
晶体管极性：N-Channel
电阻汲极/源极RDS（导通）：0.45Ohms
正向跨导gFS（最大值/最小值）：1.45S
汲极/源极击穿电压：25V
闸/源击穿电压：8V
漏极连续电流：0.5A
功率耗散：0.3W
最大工作温度：+150C
安装风格：SMD/SMT
封装/箱体：SC-70-6
封装：Reel
最小工作温度：-55C
StandardPackQty：3000
零件号别名：FDG6303N_NL

FDG6303N-VB是一款双N沟道场效应晶体管（FET），适用于多种电子应用。它的主要特点包括低阈值电压和低导通电阻，使其能够在低电压和低功率条件下有效工作。其SC70-6封装适合空间受限的应用。

2个N沟道,20V,2A,RDS(ON),150mΩ@4.5V,170mΩ@2.5V,8Vgs(±V)；0.8Vth(V)；SC70-6

应用领域：

1. 电源开关模块：FDG6303N-VB可用于电源开关电路，如开关稳压器、DC-DC转换器和功率放大器，以实现高效的电能转换。

2. 移动设备：在手机、平板电脑和便携式消费电子设备中，这款晶体管可用于电源管理、电池充电和放电控制。

3. 无线通信：在射频（RF）前端模块、天线开关和功率放大器中，FDG6303N-VB可用于电路的控制和优化。

4. 自动控制系统：在自动控制和感测系统中，它可以用于执行开关操作和电流控制。

总之，FDG6303N-VB是一款双N沟道场效应晶体管，适用于多种电子领域，包括电源管理、移动设备、无线通信和自动控制系统等应用。其SC70-6封装使其适用于空间受限的应用。