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FDMS3669S

浏览次数:59次 更新时间:2021-09-26 16:07

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概述

FDMS3669S该器件在双PQFN封装中包含两个专用N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。开关节点内部连接,便于同步降压转换器的放置和布线。控制场效应晶体管(Q1)和同步同步场效应晶体管(Q2)旨在提供最佳的功率效率。

特性

  • 低电感封装缩短了上升/下降时间,从而降低了开关损耗

  • MOSFET集成实现了更低电路电感的最佳布局,并减少了开关节点振铃

  • 符合RoHS标准

参数

  • 针脚数:8

  • 漏源极电阻:0.01 Ω

  • 耗散功率:2.5 W

  • 阈值电压:2 V

  • 漏源极电压(Vds):30 V

  • 上升时间:3 ns

  • 下降时间:3 ns

  • 工作温度(Max):150 ℃

  • 工作温度(Min):-55 ℃

  • 耗散功率(Max):2.2 W

  • 安装方式:Surface Mount

  • 引脚数:8

  • 长度:5 mm

  • 宽度:5.9 mm

  • 高度:1.1 mm

  • 封装:Power 56

引脚图与功能

FDMS3669S引脚图

工作原理

暂无FDMS3669S的工作原理信息

替代产品

暂无FDMS3669S的替代产品信息

PDF资料

暂无FDMS3669S的PDF资料信息

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