FDMS6681Z旨在将负载开关应用中的损耗降至最低。硅和封装技术的进步相结合，提供了最低的活性氧(on)和静电放电保护。

• 针脚数：8

• 漏源极电阻：0.0032 Ω

• 耗散功率：73 W

• 阈值电压：1.7 V

• 输入电容：7803 pF

• 漏源极电压(Vds)：30 V

• 上升时间：38 ns

• 输入电容(Ciss)：7803pF @15V(Vds)

• 下降时间：197 ns

• 工作温度(Max)：150 ℃

• 工作温度(Min)：-55 ℃

• 耗散功率(Max)：73 W

• 安装方式：Surface Mount

• 引脚数：8

• 封装：PowerTDFN-8

• 长度：5 mm

• 宽度：6 mm

• 高度：1.05 mm

类别：分离式半导体产品 

家庭：MOSFET，GaNFET - 单 

系列：PowerTrench®

FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 特点：逻辑电平门

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3.2 毫欧 @ 22.1A, 10V

漏极至源极电压(Vdss)：30V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：21.1A

Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA 

闸电荷(Qg) @ Vgs：241nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：10380pF @ 15V

功率 - 最大：2.5W

安装类型：表面贴装 

封装/外壳：8-PQFN，Power56

包装：带卷 (TR)

供应商设备封装：*

其它名称：FDMS6681ZTR