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FDMS6681Z旨在将负载开关应用中的损耗降至最低。硅和封装技术的进步相结合,提供了最低的活性氧(on)和静电放电保护。
针脚数:8
漏源极电阻:0.0032 Ω
耗散功率:73 W
阈值电压:1.7 V
输入电容:7803 pF
漏源极电压(Vds):30 V
上升时间:38 ns
输入电容(Ciss):7803pF @15V(Vds)
下降时间:197 ns
工作温度(Max):150 ℃
工作温度(Min):-55 ℃
耗散功率(Max):73 W
安装方式:Surface Mount
引脚数:8
封装:PowerTDFN-8
长度:5 mm
宽度:6 mm
高度:1.05 mm
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:PowerTrench®
FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:3.2 毫欧 @ 22.1A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:21.1A
Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:241nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :10380pF @ 15V
功率 - 最大:2.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PQFN,Power56
包装:带卷 (TR)
供应商设备封装:*
其它名称:FDMS6681ZTR
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 交易说明 |
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