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FDMS6681Z

浏览次数:144次 更新时间:2021-10-09 17:16

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概述

FDMS6681Z旨在将负载开关应用中的损耗降至最低。硅和封装技术的进步相结合,提供了最低的活性氧(on)和静电放电保护。

特性

类别:分离式半导体产品 

家庭:MOSFET,GaNFET - 单 

系列:PowerTrench®

FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 特点:逻辑电平门

开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:3.2 毫欧 @ 22.1A, 10V

漏极至源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:21.1A

Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 

闸电荷(Qg) @ Vgs:241nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) :10380pF @ 15V

功率 - 最大:2.5W

安装类型:表面贴装 

封装/外壳:8-PQFN,Power56

包装:带卷 (TR)

供应商设备封装:*

其它名称:FDMS6681ZTR

参数

  • 针脚数:8

  • 漏源极电阻:0.0032 Ω

  • 耗散功率:73 W

  • 阈值电压:1.7 V

  • 输入电容:7803 pF

  • 漏源极电压(Vds):30 V

  • 上升时间:38 ns

  • 输入电容(Ciss):7803pF @15V(Vds)

  • 下降时间:197 ns

  • 工作温度(Max):150 ℃

  • 工作温度(Min):-55 ℃

  • 耗散功率(Max):73 W

  • 安装方式:Surface Mount

  • 引脚数:8

  • 封装:PowerTDFN-8

  • 长度:5 mm

  • 宽度:6 mm

  • 高度:1.05 mm

引脚图与功能

FDMS6681Z引脚图

工作原理

暂无FDMS6681Z的工作原理信息

替代产品

暂无FDMS6681Z的替代产品信息

PDF资料

暂无FDMS6681Z的PDF资料信息

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