FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS7650  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 0.0008 ohm, 10 V, 1.9 V

PowerTrench? N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor

通道数：1

针脚数：8

漏源极电阻：0.0008 Ω

极性：N-Channel

耗散功率：104 W

阈值电压：1.9 V

漏源极电压(Vds)：30 V

漏源击穿电压：30 V

连续漏极电流(Ids)：60.0 A

上升时间：24 ns

输入电容(Ciss)：14965pF @15V(Vds)

额定功率(Max)：2.5 W

下降时间：21 ns

工作温度(Max)：150 ℃

工作温度(Min)：-55 ℃

耗散功率(Max)：2.5W (Ta), 104W (Tc)

安装方式：Surface Mount

引脚数：8

封装：Power-56-8

长度：5 mm

宽度：6 mm

高度：1.05 mm

工作温度：-55℃ ~ 150℃ (TJ)