晶体管极性:P沟道
漏极电流, Id 最大值:-8.8A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.02ohm
电压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-25V
功耗:2.5W
工作温度范围:-55oC to +175oC
封装类型:SOIC
针脚数:8
SVHC(高度???注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SMD标号:FDS4435
功率, Pd:2.5W
封装类型:SOIC
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
电压, Vds:30V
电压, Vds 典型值:-30V
电流, Id 连续:8.8A
电流, Idm 脉冲:50A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-1.7V
阈值电压, Vgs th 最高:-3V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)