晶体管极性:P Channel
漏极电流, Id 最大值:9A
电压, Vds 最大:-30V
开态电阻, Rds(on):0.017ohm
电压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-1.7V
功耗:2.5W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOIC
针脚数:8
封装类型:SOIC
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
电压, Vds 典型值:-30V
电流, Id 连续:9A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-1.7V