FDS7064N双N沟道和P沟道增强型功率场效应晶体管是使用Fairchild Semiconductor的先进PowerTrench?工艺生产的，该工艺经过特别定制，以最大限度地降低导通电阻，同时保持优异的开关性能。这些器件非常适合低电压和电池供电的应用需要快速切换。

类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：PowerTrench®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25℃：7.5 毫欧 @ 16A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25℃：16A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：48nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：3355pF @ 15V
功率 - 最大：3W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（3.9mm 宽），8-eSOIC. 8-HSOIC
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：*
其它名称：FDS7064NTRFDS7064N_NLFDS7064N_NLTRFDS7064N_NLTR-ND

• Q1：N通道

-最大rDS（开启）=26 m? VGS=10 V，ID=6.4 A时

-最大rDS（开启）=39 m? VGS=4.5 V，ID=5.2 A时

• Q2:P通道

-最大rDS（开启）=51 m? VGS=-10 V，ID=-4.5 A时

-最大rDS（开启）=80 m? VGS=-4.5 V，ID=-3.3 A时

-HBM ESD保护等级>3.5 kV（注3）

• 符合RoHS