30伏N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N沟道PowerTrench MOSFET

N沟道30 V 16.5A（Ta）3W（Ta）表面封装8-SOIC

类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：PowerTrench®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：7 毫欧 @ 16.5A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：16.5A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：48nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：3355pF @ 15V
功率 - 最大：3W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（3.9mm 宽），8-eSOIC. 8-HSOIC
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：*
其它名称：FDS7064N7TRFDS7064N7_NLFDS7064N7_NLTRFDS7064N7_NLTR-ND