制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
封装 / 箱体: TO-3
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极击穿电压: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 1.55 V
栅极/发射极最大电压: 25 V
集电极最大连续电流 Ic: 40 A
栅极—射极漏泄电流: 250 nA
功率耗散: 348 W
封装: Tube
最大工作温度: + 150 C
最小工作温度: - 55 C
安装风格: Through Hole