类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：QFET™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：35 毫欧 @ 16A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：32A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：20nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：1040pF @ 25V
功率 - 最大：79W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 (直引线)
包装：管件
供应商设备封装：*

TO220；N—Channel沟道,60V；50A；RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.8V；

1. 沟道类型:N—Channel，指示这是一种N沟道MOSFET。

2. 最大电压(VDS):60V，这是器件可以承受的最大漏极-源极电压。

3. 最大电流(ID):50A，这是器件能够承受的最大漏极电流。

4. 导通电阻(RDS(ON)):24mΩ @ VGS=10V, VGS=20V，这是在不同门极电压下的导通状态时的漏极-源极电阻。

5. 门极阈值电压(Vth):1.8V，这是使器件进入导通状态所需的最小门极电压。