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GD32F103RBT6

浏览次数:52次 更新时间:2021-07-20 17:36

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概述

GD32F103RBT6器件是基于 Arm? 的 32 位通用微控制器Cortex?-M3 RISC 内核在处理能力方面具有最佳比率,降低了功耗

消费和外设。 Cortex?-M3 是下一代处理器内核与嵌套向量中断控制器 (NVIC)、SysTick 计时器和高级调试支持。

GD32F103RBT6器件包含 Arm? Cortex?-M3 32 位处理器内核,可运行在 108 MHz 频率下,闪存访问零等待状态以获得最大效率。它提供高达 3 MB 的片上闪存和高达 96 KB 的 SRAM 存储器。一个广泛的连接到两条 APB 总线的一系列增强型 I/O 和外围设备。设备提供最多三个 12 位 ADC,最多两个 12 位 DAC,最多十个通用 16 位定时器,两个基本定时器加上两个PWM高级定时器,以及标准和高级通信接口:多达三个 SPI、两个 I2C、三个 USART、两个 UART、两个 I2S、一个 USBD、一个 CAN 和一个数据输出。该器件采用 2.6 至 3.6 V 电源供电,温度范围为 –40 至 +85 °C温度范围。几种省电模式提供了最大程度的灵活性唤醒延迟和功耗之间的优化,一个特别重要的低功率应用中的考虑。上述特点使GD32F103RBT6器件适用于广泛的应用,特别是在工业控制、电机驱动、电力监控和报警系统等领域,消费类和手持设备、POS、车载 GPS、可视对讲、PC 外围设备。


特性

1. Arm? Cortex?-M3 内核

Cortex?-M3 处理器是用于嵌入式系统的最新一代 Arm? 处理器。

它的开发目的是提供一个满足 MCU 需求的低成本平台

实施,具有减少的引脚数和低功耗,同时提供

出色的计算性能和对中断的高级系统响应。

32 位 Arm? Cortex?-M3 处理器内核

高达 108 MHz 的工作频率

单周期乘法和硬件除法器

集成嵌套向量中断控制器 (NVIC)

24 位 SysTick 定时器

Cortex?-M3 处理器基于 ARMv7 架构,支持 Thumb

和 Thumb-2 指令集。下面列出的一些系统外围设备也由

Cortex?-M3:GD32F103RBT6

内部总线矩阵连接 I-Code 总线、D-Code 总线、系统总线、Private

外设总线 (PPB) 和调试访问。

? 嵌套向量中断控制器 (NVIC)。

闪存补丁和断点 (FPB)。

? 数据观察点和跟踪 (DWT)。

仪器跟踪宏单元 (ITM)。

嵌入式跟踪宏单元 (ETM)。

串行线 JTAG 调试端口 (SWJ-DP)。

跟踪端口接口单元(TPIU)。

内存保护单元(MPU)。


2.片上存储器

高达 3072 KB 的闪存

高达 96 KB 的 SRAM

Arm? Cortex?-M3 处理器采用哈佛架构,可以使用独立的

总线来获取指令和加载/存储数据。 3072 KB 内部闪存和 96 KB

内部 SRAM 最多可用于存储程序和数据,均在 CPU 上访问(R/W)

时钟速度为零等待状态。表2-4。GD32F103RBT6内存映射显示

GD32F103RBT6系列器件的内存映射,包括代码、SRAM、外设和

其他预定义区域。


3、时钟、复位和电源管理

内部 8 MHz 工厂微调 RC 和外部 4 至 16 MHz 晶振

内部 40 KHz RC 校准振荡器和外部 32.768 KHz 晶体振荡器

集成系统时钟锁相环

2.6 至 6 V 应用电源和 I/O

电源监控器:POR(上电复位)、PDR(掉电复位)和低电压

检测器 (LVD)

时钟控制单元提供一系列频率和时钟功能。这些包括一个

内部 8M RC 振荡器(IRC8M),一个高速晶振(HXTAL),一个低速晶振

内部 40K RC 振荡器(IRC40K)、低速晶体振荡器(LXTAL)、锁相器

环路 (PLL)、HXTAL 时钟监视器、时钟预分频器、时钟多路复用器和时钟门控

电路。 AHB、APB2 和 APB1 域的频率可以由每个域配置

预分频器。 AHB、APB2 和 APB1 域的最大频率为 108 MHz/108

兆赫/54兆赫。参见图 2-8。GD32F103RBT6时钟树了解详情。

GD32F10x 复位控制包括对三种复位的控制:电源复位、系统复位

重置和备份域重置。系统复位复位处理器内核和外设

除 SW-DP 控制器和备份域外的 IP 组件。上电复位

(POR) 和掉电复位 (PDR) 始终处于活动状态,并确保正常运行

从/降至 2.6 V。当 VDD 低于指定值时,器件保持复位模式

临界点。嵌入式低电压检测器 (LVD) 监控电源,比较

它达到电压阈值,并产生一个中断作为警告信息,用于引导

单片机进入安全。

供电方案:GD32F103RBT6

VDD 范围:2.6 至 6 V,外部电源

用于 I/O 和内部调节器。

通过 VDD 引脚从外部提供。

VSSA、VDDA 范围:2.6 至 6 V,ADC 的外部模拟电源、复位模块、

RC 和 PLL。 VDDA 和 VSSA 必须分别连接到 VDD 和 VSS。

VBAT 范围:1.8 至 6 V,RTC 电源,外部时钟 32 KHz 振荡器和

当 VDD 不存在时备份寄存器(通过电源开关)。


4.启动模式

启动时,引导引脚用于选择三个引导选项之一:

从主闪存启动(默认)

从系统内存启动

从片上 SRAM 启动

引导加载程序位于内部引导 ROM 存储器(系统存储器)中。它用于

使用 USART0(PA9 和 PA10)重新编程闪存,如果设备是

GD32F103xF/G/I/K、USART1(PA2 和 PA3)也可用于引导功能。它还可以用于传输和更新闪存代码、数据和向量表部分。

默认情况下,选择从闪存的 bank 0 启动。它还支持开机

通过在选项字节中设置一个位,从闪存的 bank 1 中读取。



参数

属性参数值
I/O 数51
CAN1
Ethernet0
A/D16x12bit
EEPROM 尺寸0
D/A0
工作电压2.6V ~ 3.6V
PWM2
CPU位数32-Bit
SPI2
CPU内核ARM? Cortex?-M3
UART/USART3
主频(MAX)108MHz
ROM类型FLASH
I2C(SMBUS/PMBUS)2
额外特性-
ROM尺寸128KB
USB Host/OTG1
RAM大小20KB
USB Device1


引脚图与功能

1 (2).jpg

工作原理

暂无GD32F103RBT6的工作原理信息

替代产品

暂无GD32F103RBT6的替代产品信息

PDF资料

暂无GD32F103RBT6的PDF资料信息

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