晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:110A
电压, Vds 最大:55V
开态电阻, Rds(on):0.008ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:4V
功耗:150W
封装类型:D2-PAK
针脚数:3
SMD???号:IRF3205S
功率, Pd:150W
功耗(于1平方英寸PCB):3.7W
外宽:10.54mm
外部深度:15.49mm
外部长度/高度:4.69mm
封装类型:D2-PAK
封装类型, 替代:D2-PAK
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
热阻, 结至外壳 A:0.75°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:55V
电流, Id 连续:98A
电流, Idm 脉冲:390A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
阈值电压, Vgs th 最高:4V