晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:75A
电压, Vds 最大:55V
开态电阻, Rds(on):0.0065ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:4V
功耗:170W
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
功率, Pd:170W
封装类型:TO-220AB
晶体管类型:MOSFET
热阻, 结至外壳 A:0.9°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:55V
电流, Id 连续:110A
电流, Idm 脉冲:440A
表面安装器件:通孔安装
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.0065ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:4V