让找料更便捷
电子元器件
采购信息平台
生意随身带
随时随地找货
一站式电子元器件
采购平台
半导体行业观察第一站
本词条由华强电子网用户提供,如果涉嫌侵权,请与我们客服联系,我们核实后将及时处理。
使用沟渠工艺封装的N通道增强型场效应功率晶体管
应用:
DC到DC转换器
开关电源
电视及电脑显示器电源
IRF540中提供的是SOT78(TO220AB)常规铅的包裹。
IRF540S中提供的是S0T404(D PAK)表面安装的包裹。
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:28A
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):0.052ohm
电压 @ Rds测量:10V
功耗:107W
工作温度范围:-55oC to +175oC
封装类型:TO-220
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
功率, Pd:107W
器件标记:IRF540A
外宽:10.67mm
外部长度/高度:4.83mm
封装类型:TO-220
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:100V
电流, Id 连续:28A
电流, Idm 脉冲:110A
表面安装器件:通孔安装
通态电阻, Rds on 最大:0.052ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
阈值电压, Vgs th 最高:4V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
'Thrench’工艺
低的导通内阻
快速开关
低热敏电阻