INFINEON  IRLML0030TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.3 A, 30 V, 0.022 ohm, 10 V, 1.7 V

N 通道功率 MOSFET，30V，Infineon

额定功率：1.3 W

针脚数：3

漏源极电阻：0.022 Ω

极性：N-Channel

耗散功率：1.3 W

阈值电压：1.7 V

输入电容：382 pF

漏源极电压(Vds)：30 V

连续漏极电流(Ids)：5.3A

上升时间：4.4 ns

输入电容(Ciss)：382pF @15V(Vds)

下降时间：4.4 ns

工作温度(Max)：150 ℃

工作温度(Min)：-55 ℃

耗散功率(Max)：1.3W (Ta)

安装方式：Surface Mount

引脚数：3

封装：SOT-23-3

长度：3.04 mm

宽度：1.4 mm

高度：1.02 mm

工作温度：-55℃ ~ 150℃ (TJ)

Infineon 系列分离式 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。