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IXTP60N10T

浏览次数:670次

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IXTP60N10T最新采购批发价格

型号 品牌 参考价格
LITTELFUSE/力特
¥11.08

IXTP60N10T中文资料规格参数

IXTP60N10T概述

类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:TrenchMV™
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:18 毫欧 @ 25A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:60A
Id 时的 Vgs(th)(最大):4.5V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:49nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :2650pF @ 25V
功率 - 最大:176W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220
包装:管件
供应商设备封装:*

IXTP60N10T数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
IXYS
PDF
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
1
IXYS/艾赛斯
13+
TO-220
回收此型号
深圳
2090
IXYS/艾赛斯
20+
TO-220
散新原字原脚
12364
IXYS/艾赛斯
2122
TO-220
IXYS现货代理假一罚十
深圳
19200
IXYS/艾赛斯
23+
TO-220
原装IXYS 假一罚十
1
IXYS/艾赛斯
22+
TO-220
原装正品 放芯交易
深圳

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