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MJD31C1G

浏览次数:327次

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MJD31C1G中文资料规格参数

MJD31C1G概述

类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 单路
系列:-
晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大):3A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):100V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1.2V @ 375mA, 3A
电流 - 集电极截止(最大):50µA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):10 @ 3A, 4V
功率 - 最大:1.56W
频率 - 转换:3MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:IPak, TO-251, DPak, VPak (3 直引线 + 接片)
包装:管件
供应商设备封装:D-Pak

MJD31C1G数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
ON Semiconductor
PDF
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
15000
ONSEMI/安森美
22+
DPAK-3
台产原装全系列MOS管可控硅肖特基可出特供
深圳
37650
ONSEMI/安森美
22+
TO-252
新到现货,支持实单
50000
ONSEMI/安森美
22+
TO-252
专营台产MOS管品质保证
10
ON进口原装
11+
TO-251
只做ON进口原装深圳现货
深圳
83500
ONSEMI/安森美
2436+
TO252
原装无铅进口现货
深圳

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