MJD32CT4概述
类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 单路
系列:-
晶体管类型:PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大):3A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):100V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1.2V @ 375mA, 3A
电流 - 集电极截止(最大):50µA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):10 @ 3A, 4V
功率 - 最大:1.56W
频率 - 转换:3MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片)
包装:Digi-Reel®
供应商设备封装:D-Pak
其它名称:MJD32CT4OSDKR