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首页> IC百科 > MMBF0201NLT1G

MMBF0201NLT1G

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型号 品牌 参考价格
MMBF0201NLT1G
JSMSEMI/杰盛微
￥0.136

MMBF0201NLT1G中文资料规格参数

MMBF0201NLT1G概述

源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):1.400
最大漏极电流Id(on)(A):0.300
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-223/-55~150
描述:0.3A,20V,SOT223,N沟道功率MOSFET

MMBF0201NLT1G数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
ON Semiconductor
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深圳市金华信电子有限公司
12320
ONSEMI/安森美
2024+PB
SOT23
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深圳
深圳智睿捷科技有限公司
15000
PLINGSEMIC/鹏领
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台产原ON丝印
深圳
北京永创新电子科技有限公司
15000
ONSEMI/安森美
23+
SOT-23-3
原装正品
深圳
深圳市华美锐科技有限公司
16950
ONSEMI/安森美
11+
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进口原装公司现货，价格优势特价
深圳合顺兴电子有限公司
30000
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汕头

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