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MMBT2907ALT1G

浏览次数:1759次 更新时间:2021-09-30 14:38

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MMBT2907ALT1G最新采购批发价格

型号 品牌 参考价格
ONSEMI/安森美
¥0.0997

MMBT2907ALT1G中文资料规格参数

MMBT2907ALT1G概述

MMBT2907ALT1G是一款-60V PNP硅双极晶体管,设计用于线性与开关应用。该器件适用于低功耗表面安装应用。

MMBT2907ALT1G参数

频率:200 MHz

额定电压(DC):-60.0 V

额定电流:-600 mA

额定功率:300 mW

针脚数:3

极性:PNP

耗散功率:225 mW

输入电容:30 pF

上升时间:40 ns

击穿电压(集电极-发射极):60 V

集电极最大允许电流:0.6A

最小电流放大倍数(hFE):100 @150mA, 10V

额定功率(Max):300 mW

直流电流增益(hFE):200

下降时间:30 ns

工作温度(Max):150 ℃

工作温度(Min):-55 ℃

耗散功率(Max):300 mW

长度:3.04 mm

宽度:1.3 mm

高度:0.94 mm

封装:SOT-23-3

特性

  • 无卤素/无BFR

  • -60VDC集电极-基极电压(VCBO)

  • -5VDC发射极-基极电压(VEBO)

  • -1200mADC峰值集电极电流

  • 556°C/W热阻,结至环境

MMBT2907ALT1G引脚图

MMBT2907ALT1G引脚图

MMBT2907ALT1G数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
ON Semiconductor
PDF
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
12000
ONSEMI/安森美
1714
6000
ONSEMI/安森美
2441
全新原装,渠道现货
1000
24000
RICHTEK/立锜
22+
SOT23-5
启达电子只做全新进口原装
深圳
3100
ONSEMI/安森美
11+
保证进口只做原装G

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