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MMBTH10M3T5G

浏览次数:164次

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MMBTH10M3T5G中文资料规格参数

MMBTH10M3T5G概述

类别:分离式半导体产品
家庭:RF 晶体管 (BJT)
系列:-
晶体管类型:NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大):25V
频率 - 转换:650MHz
噪声系数(dB典型值@频率):-
增益:-
功率 - 最大:640mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):60 @ 4mA, 10V
电流 - 集电极 (Ic)(最大):-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-723
包装:带卷 (TR)
供应商设备封装:SOT-723

MMBTH10M3T5G数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
ON Semiconductor
PDF
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
2860
ONSEMI/安森美
10+
SOT23-5
房间进口原装现货有接受价直说
1258000
ONSEMI/安森美
24+
SOT-23
原装现货加好友QQ990919739
1200
ONSEMI/安森美
0917+
SOT23-5
原装无铅现货
4555
ONSEMI/安森美
22+
*
本公司诚信经营保证原装进口一周左右货期假
香港
11940
ONSEMI/安森美
2018+
原装正品现货可出样

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