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NCE01P13K采用先进的沟槽技术和设计，以低栅极电荷提供出色的RosioNw。它可以用于各种各样的应用。这是静电放电抗议。
Vos=-100V，lD=-13A Ros(o)<200mQ @Ves=-10V(典型值170mg)
超高密度电池设计
先进的沟槽工艺技术
可靠且坚固
高密度电池设计可实现超低导通电阻
安装方式：Surface Mount
封装：TO-252
栅极电压：Vgs±20V
Rds On(Max)@Id,Vgs：170mΩ@10V
连续漏极电流：Id-13A
漏源极电压：Vds-100V
封装/外壳：TO-252
FET类型：P-Channel
Pd-功率耗散(Max)：40W
| 供应商 | 数量 | 厂商 | 批号 | 封装 | 交易说明 | 仓库 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 21403 | NCEPOWER | 21+ | TO-252 | 10.13更新 原装正品 | 询价 | ||
| 12500 | NCE/新洁能 | 2021+ | TO-252 | 实单请询价现货库存 | 深圳 | 询价 | |
| 32500 | NCE/新洁能 | 19+ | TO-252 | 全新优势大量现货 | 询价 | ||
| 5000 | DOINGTER/杜因特 | 18+ | TO-252 | 全新台产货源稳包好用耐用 | 深圳 | 询价 | |
|
|
5 | NCE/新洁能 | 21+ | TO-252 | 原厂一级代理商，可提供技术支持 | 询价 |
UCC2808AQDR-1Q1 500 件
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UCC2808AQDR-1Q1 500 件
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UCC2808AQDR-1Q1 500 件
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UCC2808AQDR-1Q1 500 件
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UCC2808AQDR-1Q1 300 件
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