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NCE01P13K采用先进的沟槽技术和设计,以低栅极电荷提供出色的RosioNw。它可以用于各种各样的应用。这是静电放电抗议。
安装方式:Surface Mount
封装:TO-252
栅极电压:Vgs±20V
Rds On(Max)@Id,Vgs:170mΩ@10V
连续漏极电流:Id-13A
漏源极电压:Vds-100V
封装/外壳:TO-252
FET类型:P-Channel
Pd-功率耗散(Max):40W
Vos=-100V,lD=-13A Ros(o)<200mQ @Ves=-10V(典型值170mg)
超高密度电池设计
先进的沟槽工艺技术
可靠且坚固
高密度电池设计可实现超低导通电阻
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 交易说明 |
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