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NCE01P13K

浏览次数:105次 更新时间:2021-10-09 17:37

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概述

NCE01P13K采用先进的沟槽技术和设计,以低栅极电荷提供出色的RosioNw。它可以用于各种各样的应用。这是静电放电抗议。

特性

  • Vos=-100V,lD=-13A Ros(o)<200mQ @Ves=-10V(典型值170mg)

  • 超高密度电池设计

  • 先进的沟槽工艺技术

  • 可靠且坚固

  • 高密度电池设计可实现超低导通电阻

参数

  • 安装方式:Surface Mount

  • 封装:TO-252

  • 栅极电压:Vgs±20V

  • Rds On(Max)@Id,Vgs:170mΩ@10V

  • 连续漏极电流:Id-13A

  • 漏源极电压:Vds-100V

  • 封装/外壳:TO-252

  • FET类型:P-Channel

  • Pd-功率耗散(Max):40W

引脚图与功能

NCE01P13K引脚图

工作原理

暂无NCE01P13K的工作原理信息

替代产品

暂无NCE01P13K的替代产品信息

PDF资料

暂无NCE01P13K的PDF资料信息

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