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NE5532DR2G

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NE5532DR2G中文资料规格参数

NE5532DR2G概述

工作电压Min.(V):±3
工作电压Max.(V):±20
带宽GBW(典型值)(MHz):10
转换速率(典型值)(V/us):9
输入失调电压(25℃,Max.)(mV):4.0@±15 V
输入偏置电流(Max.)(nA):200
最大工作电流ID(mA):8
共模抑制比(Min.)(dB):100
噪声电压(典型值)(nV/rtHz):8
通道数:2
电源供电方式:双
封装/温度(℃):SOIC-16Q/0~70
描述:双路低噪声运放
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
50
ONSEMI/安森美
1052+
SOIC16
房间现货库存支持实单
深圳
4
ONSEMI/安森美
1011
SOIC16
ISCP会员,欢迎咨询
104
ONSEMI/安森美
10+
SOP-16
一天货期
5580
ON渠道
2021+
SOP8
原装现货-欢迎看货
深圳
20
ONSEMI/安森美
09+
原装正品现货库存

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