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NTA7002NT1G

浏览次数:266次 更新时间:2021-10-12 11:44

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概述

源漏极间雪崩电压VBR(V):30(min)
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):2000
最大漏极电流Id(on)(A):0.154
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SC-75/-55 ~150
描述:小信号N沟道230 V, 154 mA, MOSFET 带ESD保护

特性

  • 适用于快速开关的低栅极电荷

  • 小尺寸1.6x1.6mm毫米

  • ESD保护栅极

  • NV前缀,适用于要求独特的位置和控制变化要求的汽车和其他应用;AEC-Q101合格且支持PPA

  • P这些设备无铅且符合RoHS标准

参数

  • 额定电压(DC):30.0 V

  • 额定电流:154 mA

  • 通道数:1

  • 针脚数:3

  • 漏源极电阻:7 Ω

  • 极性:N-Channel

  • 耗散功率:300 mW

  • 阈值电压:1 V

  • 输入电容:11.5 pF

  • 漏源极电压(Vds):30 V

  • 漏源击穿电压:30 V

  • 栅源击穿电压:±10.0 V

  • 连续漏极电流(Ids):154 mA

  • 上升时间:15 ns

  • 输入电容(Ciss):20pF @5V(Vds)

  • 额定功率(Max):300 mW

  • 下降时间:60 ns

  • 工作温度(Max):150 ℃

  • 工作温度(Min):-55 ℃

  • 耗散功率(Max):300 mW

  • 安装方式:Surface Mount

  • 引脚数:3

  • 长度:1.65 mm

  • 宽度:0.9 mm

  • 高度:0.8 mm

  • 封装:SC-75-3

引脚图与功能

NTA7002NT1G引脚图

工作原理

暂无NTA7002NT1G的工作原理信息

替代产品

暂无NTA7002NT1G的替代产品信息

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