二极管30 V，4.6 A，N沟道，带2.0 A肖特基势垒，2x2 mm WDFN封装

类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：二极管（隔离式）
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25℃：70 毫欧 @ 2A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25℃：2.5A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：6.5nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：427pF @ 15V
功率 - 最大：710mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-VDFN
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：6-TDFN
其它名称：NTLJF4156NT1G-NDNTLJF4156NT1GOSTR

• WDFN封装提供外露排水垫，实现卓越的热传导

• 共封装MOSFET和肖特基，便于电路布局

• RDS（开启）额定电压为低VGS（开启）电平，VGS=1.5 V

• 薄型（<0.8 mm），便于在薄环境中安装

• 低VF肖特基

• 这是一个无铅设备