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型号 | 品牌 | 参考价格 |
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VBsemi/微碧半导体 |
¥0.8 |
NTR1P02LT1G这些小型表面贴装金属氧化物半导体场效应晶体管的低导通电阻确保了最小的功耗和节能,是空间敏感电源管理电路的理想选择。典型应用是便携式和电池供电产品中的DC-DC转换器和电源管理,如计算机、打印机、PCMCIA卡、蜂窝电话和无绳电话。
额定电压(DC):-20.0 V
额定电流:-1.30 A
针脚数:3
漏源极电阻:0.14 Ω
极性:P-Channel
耗散功率:400 mW
输入电容:225 pF
漏源极电压(Vds):20 V
栅源击穿电压:±12.0 V
连续漏极电流(Ids):1.30 A, 1.30 mA
上升时间:15 ns
输入电容(Ciss):225pF @5V(Vds)
额定功率(Max):400 mW
下降时间:20 ns
工作温度(Max):150 ℃
工作温度(Min):-55 ℃
耗散功率(Max):400mW (Ta)
安装方式:Surface Mount
引脚数:3
封装:SOT-23-3
低RpS(开)提供更高的效率并延长电池寿命
微型SOT-23表面贴装封装节省电路板空间
NVTR前缀适用于要求独特的现场和控制更改要求的汽车和其他应用;AEC-Q101合格且支持PPAP
无铅和无卤化物包装可供选择
厂商 | PDF简要描述 | 下载 |
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ON Semiconductor |
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 交易说明 |
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