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NTR1P02LT1G

浏览次数:371次 更新时间:2021-10-12 11:17

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NTR1P02LT1G最新采购批发价格

型号 品牌 参考价格
VBsemi/微碧半导体
¥0.8

NTR1P02LT1G中文资料规格参数

NTR1P02LT1G概述

NTR1P02LT1G这些小型表面贴装金属氧化物半导体场效应晶体管的低导通电阻确保了最小的功耗和节能,是空间敏感电源管理电路的理想选择。典型应用是便携式和电池供电产品中的DC-DC转换器和电源管理,如计算机、打印机、PCMCIA卡、蜂窝电话和无绳电话。

NTR1P02LT1G参数

  • 额定电压(DC):-20.0 V

  • 额定电流:-1.30 A

  • 针脚数:3

  • 漏源极电阻:0.14 Ω

  • 极性:P-Channel

  • 耗散功率:400 mW

  • 输入电容:225 pF

  • 漏源极电压(Vds):20 V

  • 栅源击穿电压:±12.0 V

  • 连续漏极电流(Ids):1.30 A, 1.30 mA

  • 上升时间:15 ns

  • 输入电容(Ciss):225pF @5V(Vds)

  • 额定功率(Max):400 mW

  • 下降时间:20 ns

  • 工作温度(Max):150 ℃

  • 工作温度(Min):-55 ℃

  • 耗散功率(Max):400mW (Ta)

  • 安装方式:Surface Mount

  • 引脚数:3

  • 封装:SOT-23-3

特性

  • 低RpS(开)提供更高的效率并延长电池寿命

  • 微型SOT-23表面贴装封装节省电路板空间

  • NVTR前缀适用于要求独特的现场和控制更改要求的汽车和其他应用;AEC-Q101合格且支持PPAP

  • 无铅和无卤化物包装可供选择

NTR1P02LT1G引脚图

NTR1P02LT1G引脚图

NTR1P02LT1G数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
ON Semiconductor
PDF
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
65000
ONSEMI/安森美
2022+PBPB
SOT-23-3
大量供货-特价
深圳
45000
ONSEMI/安森美
1608+
SOT-23
实际库存实际数量实际年份不定期更新
深圳
7
ONSEMI/安森美
SOT-23
现货保证原装假一赔百
深圳
3000
ONSEMI/安森美
13+++
SOT-23
科童只做原装,科童只有原装
深圳
3000
ONSEMI/安森美
2017+
SOT23
原装现货大量供应全网最低
深圳

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