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NTR4503NT1G

浏览次数:482次 更新时间:2024-12-19 10:37

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NTR4503NT1G最新采购批发价格

型号 品牌 参考价格
ONSEMI/安森美
¥0.589

NTR4503NT1G中文资料规格参数

NTR4503NT1G概述

源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):140
最大漏极电流Id(on)(A):2.500
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-23 /-55 ~150
描述:30 V, 2.5 A,双功率MOSFET

NTR4503NT1G参数

N沟道,30V,6.5A,RDS(ON),30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2~2.2Vth(V);SOT23

特性

NTR4503NT1G MOSFET在电子行业中的各个领域中都有应用,特别是以下领域:


电源供应单元(PSUs):在电源管理中,NTR4503NT1G可用于电压调节和电流切换,提高电源模块的效率和稳定性。


电机控制模块:这款MOSFET适用于电机驱动电路,有效控制电机电流,提高整个系统的性能。


LED驱动模块:在LED驱动电路中,NTR4503NT1G可用作电流开关,用于控制LED的亮度,确保高效的电源分配。


DC-DC变换器:这款MOSFET可以集成到DC-DC变换器模块中,实现高效的电压转换和功率管理。


电池保护电路:这款N沟道MOSFET非常适用于电池保护应用,保护电池免受过充和过放的风险。


总之,VBsemi的NTR4503NT1G MOSFET是一款多用途的元件,适用于电源管理、电机控制、LED驱动器、DC-DC变换器和电池保护等领域。在这些应用领域中,需要控制电压、电流切换和功率管理的模块是使用此产品的主要候选对象。


NTR4503NT1G数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
ON Semiconductor
PDF
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
5000
ONSEMI/安森美
23+24+
SOT-23
订货调货
30000
ONSEMI/安森美
19+
SOT-23
台产原ON丝印TR3现货
深圳
15000
ONSEMI/安森美
23+
SOT-23-3
原装正品
北京
15000
ONSEMI/安森美
2024+PB
SOT-23-3
大量供货
深圳
30000
ON/安森美/立昌
24+
SOT-23
全新原装正品现货
深圳

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