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NTR5198NLT1G

浏览次数:44次 更新时间:2021-10-12 16:05

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概述

NTR5198NLT1G除了放大电子信号外,您还可以使用安森美半导体开发的 NTR5198NLT1G 功率 MOSFET 在不同线路之间切换。其最大功耗为 1500 mW。胶带和卷轴包装将在运输过程中包裹产品,确保安全交付并能够快速安装组件。该 MOSFET 晶体管的最低工作温度为 -55 °C,最高为 150 °C。该 N 沟道 MOSFET 晶体管以增强模式运行。

特性

  • 小尺寸工业标准表面贴装SOT-23封装低导通电阻

  • 低传导损耗和提高效率

  • 这些器件无铅、无卤素、无BFR,符合RoHS标准

参数

  • 无异状态:无卤

  • 针脚数:3

  • 漏源极点:0.107Ω

  • 魅力:N通道

  • 耗散功率:1.5 瓦

  • 阈值电压:2.5 伏

  • 漏源极电压(Vds):60伏

  • 上升时间:7 纳秒

  • 正向电压(Max):1.2V

  • 输入电容(Ciss):182pF @25V(Vds)

  • 下降时间:2 纳秒

  • 工作温度(Max):150℃

  • 工作温度(Min):-55℃

  • 耗散功率(Max):900mW (Ta)

  • 安装方式:表面贴装

  • 面对数:3

  • 封装:SOT-23-3

  • 长度:3.04 毫米

  • 横:1.4 毫米

  • 高度:1.01 毫米

引脚图与功能

NTR5198NLT1G引脚图

工作原理

暂无NTR5198NLT1G的工作原理信息

替代产品

暂无NTR5198NLT1G的替代产品信息

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