类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：170 毫欧 @ 2A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：2.7nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：180pF @ 10V
功率 - 最大：1W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TSMT6
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：TSMT6

Nchannel,60V,4A,RDS(ON),85mΩ@10V,96mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1~3Vth(V)；SOT23

RSR020N06TL适用于各种应用领域。在电源管理、功率转换、驱动电路和开关电路中，它可以实现电流控制和功率转换。此外，它还具有潜在的应用于汽车电子、消费电子和通信设备等领域。