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SI2301是一种P沟道场效应管。
晶体管类型 : P沟道MOSFET
最大功耗PD : 1.25W
栅极门限电压VGS : 2.5V(典型值)
漏源电压VDS :-20V(极限值)
漏极电流ID:TA=25°时:-2.3A,TA=70°时:-1.5A
通态电阻RDS(on):0.145ohm(典型值)
栅极漏电流IGSS:±100nA
结温:55℃to+150℃
封装:SOT-23(TO-236)
针对极低Rpsios的高密度电池设计
坚固可靠
外壳材料:模制塑料

| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 交易说明 |
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