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SI2301

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概述

晶体管类型:P沟道MOSFET
最大功耗PD:1.25W
栅极门限电压VGS:2.5V(典型值)
漏源电压VDS:-20V(极限值)
漏极电流ID:-2.3A
通态电阻RDS(on):0.145ohm(典型值)
栅极漏电流IGSS:±100nA
结温:-55℃to+150℃
封装:SOT-23(TO-236)

特性

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参数

暂无SI2301的参数信息

引脚图与功能

暂无SI2301的引脚图与功能信息

工作原理

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替代产品

PDF资料

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