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首页> IC百科 > SI2301CDS-T1-GE3

SI2301CDS-T1-GE3

浏览次数：3419次 更新时间：2021-09-28 12:00
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SI2301CDS-T1-GE3中文资料规格参数

SI2301CDS-T1-GE3概述

SI2301CDS-T1-GE3是20VDSTrenchFET?P通道增强模式功率MOSFET，适用于负载开关应用。

SI2301CDS-T1-GE3参数

通道类型P晶体管配置单
最大连续漏极电流2.3 A最大栅源电压-8 V、+8 V
最大漏源电压20 V每片芯片元件数目1
封装类型SOT-23晶体管材料Si
安装类型表面贴装长度3.04mm
引脚数目3宽度1.4mm
最大漏源电阻值112 mΩ最低工作温度-55 °C
通道模式增强典型栅极电荷@Vgs3.3 nC @ 2.5 V，5.5 nC @ 4.5 V
最小栅阈值电压0.4V高度1.02mm
最大功率耗散860 mW最高工作温度+150 °C


特性

  • 无卤素

  • -55至150°C工作温度范围

  • 应用

  • 工业，电源管理

SI2301CDS-T1-GE3引脚图

SI2301CDS-T1-GE3引脚图

SI2301CDS-T1-GE3数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
Vishay Semiconductors
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供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
深圳市达信恒业电子有限公司
24000
VISHAY/威世
2508270009
N/A
原厂正品不止现货支持排单
深圳
深圳市特斯拉与牛顿科技有限公司
39000
VISHAY/威世
2115+
SOT-23
1
深圳
深圳市富昌威科技有限公司
120
VISHAY/威世
17+
SOT-23-3
vishay原装正品假一罚十
深圳
深圳市佳芯恒业科技有限公司
87000
VISHAY/威世
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SOT-23
全新原装无铅便宜出
深圳
深圳智睿捷科技有限公司
30000
PLINGSEMIC/鹏领
25+
SOT-23
原装现货实际数量可提供更多
深圳

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