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SI2301DS-T1

浏览次数:1916次

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SI2301DS-T1最新采购批发价格

型号 品牌 参考价格
SILICONIX/硅尼克斯
¥0.13

SI2301DS-T1中文资料规格参数

SI2301DS-T1概述

制造商:Vishay
RoHS:否
配置:Single
晶体管极性:P-Channel
汲极/源极击穿电压:20V
闸/源击穿电压:+/-8V
漏极连续电流:2.3A
功率耗散:1250mW
最大工作温度:+150C
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:TO-236-3
封装:Reel
最小工作温度:-55C
StandardPackQty:3000

SI2301DS-T1数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
VISHAY
PDF
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
3000
SILICONIX/硅尼克斯
SOT-23
自家库存原装现货
2800
SILICONIX
2004
SOT-23
QQ414574285华强11C029
深圳
15000
VISHAY/威世
09+
SOT-23
房间现货或发货一天
深圳
1920
VISHAY/威世
01+
SOT23-3
房间原装现货
8855868
VISHAY/威世
2501+
SOT23-3
国产现货,低价全功能测试

SI2301DS-T1推广供应商 更多

供应商 型号 品牌 批号 封装 交易说明
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