产品种类：MOSFET小信号
RoHS：是
配置：Single
晶体管极性：N-Channel
电阻汲极/源极RDS（导通）：0.033Ohms
汲极/源极击穿电压：20V
闸/源击穿电压：+/-12V
漏极连续电流：4.9A
功率耗散：1.25W
最大工作温度：+150C
安装风格：SMD/SMT
封装/箱体：SOT-23
封装：Reel
最小工作温度：-55C
StandardPackQty：3000

N沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V)；0.45~1Vth(V)；SOT23

应用简介：

SI2314EDS-T1-E3-VB是一款N沟道场效应晶体管，适用于低功率电子应用。它具有适度的导通电阻和耐压特性，适合用于小型电子系统。

领域模块应用：

1. 电源开关模块：SI2314EDS-T1-E3-VB可用于低功率电源开关应用，如便携式电子设备和电池供电设备。

2. 信号开关：适用于低功率信号开关和控制电路，如小型开关电路和信号切换器。

3. 低功耗模块：在需要低功耗的模块中，如传感器节点、小型控制器，可发挥作用。

这些特性使SI2314EDS-T1-E3-VB在小型低功率电子应用中有广泛的应用。