SI7850DP-T1-E3
浏览次数：487次
更新时间：2024-12-18 17:31
快速
导航
采购价格
规格参数
数据手册
推荐供应商
推广供应商
市场趋势
相关型号
本词条由华强电子网用户提供，如果涉嫌侵权，请与我们客服联系，我们核实后将及时处理。
更多
SI7850DP-T1-E3最新采购批发价格
| 型号 |
品牌 |
参考价格 |
|
VISHAY/威世 |
￥3.14 |
SI7850DP-T1-E3中文资料规格参数
SI7850DP-T1-E3概述
产品种类：MOSFET小信号
RoHS：是
配置：SingleQuadDrainTripleSource
晶体管极性：N-Channel
电阻汲极/源极RDS（导通）：0.031Ohms
汲极/源极击穿电压：60V
闸/源击穿电压：+/-20V
漏极连续电流：6.2A
功率耗散：1.8W
最大工作温度：+150C
安装风格：SMD/SMT
封装/箱体：SO-8
封装：Reel
最小工作温度：-55C
StandardPackQty：3000
SI7850DP-T1-E3参数
DFN8(5X6)；N—Channel沟道,60V；45A；RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
特性
应用简介:
SI7850DP-T1-E3-VB是一款N-Channel MOSFET，适用于多种应用领域，包括但不限于：
1. 电源开关: 由于其N沟道性质，可用于电源开关和电源逆变器。
2. 电机驱动: 适用于直流电机和步进电机的高功率驱动电路，提供高效的电流控制。
3. 电源逆变器: 用于太阳能逆变器和其他电源逆变器，提供高效的能量转换。
4. 电源管理模块: 适用于各种高功率电源管理应用，如服务器电源、电动工具等。
请注意，在具体设计中应仔细参考该器件的数据手册以及应用手册，以确保正确的使用和性能。
SI7850DP-T1-E3数据手册
| 厂商 |
PDF简要描述 |
下载 |
SILICONIX/硅尼克斯 |
|
PDF
|
Vishay Semiconductors |
|
PDF
|
| 供应商 |
数量 |
厂商 |
批号 |
封装 |
交易说明 |
仓库 |
|
|
|
798200 |
VISHAY/威世 |
11+ |
QFN8 |
专业优势代理 |
|
|
|
|
30000 |
SILICONIX VISHAY |
2346 |
|
全新原装,渠道现货 |
|
|
|
|
1143 |
VISHAY/威世 |
20+ |
QFN-8 |
全新原装正品现货实单价可谈 |
深圳 |
|
|
|
2053 |
VISHAY/威世 |
1444+ |
QFN8 |
|
|
|
|
|
400 |
VISHAY/威世 |
16+ |
QFN |
原装,现货 |
深圳 |
|
还没有找到您要购买的库存？
发布求购信息，更多供应商将主动与您联系！
发布求购
