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STD30PF03LT4

浏览次数:366次 更新时间:2024-12-18 17:34

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STD30PF03LT4中文资料规格参数

STD30PF03LT4概述

1. 封装类型 (Package Type):TO252,表明该器件使用TO252封装。

2. 沟道类型 (Channel Type):P-Channel,指示这是一个P沟道MOSFET。

3. 额定电压 (Rated Voltage):-30V,说明器件能够正常工作的最大电压。负值表示该器件是P沟道MOSFET。

4. 最大电流 (Maximum Current):-40A,表示器件能够承受的最大电流。负值表示电流方向是从源极到漏极。

5. 开态电阻 (On-State Resistance):RDS(ON) = 18mΩ @ VGS=10V, VGS=20V,说明在特定的栅源电压下,开态时的电阻。

6. 阈值电压 (Threshold Voltage):Vth = -1.7V,表示在栅源电压作用下,器件从关态切换到开态所需的电压。


STD30PF03LT4参数

TO252;P—Channel沟道,-30V;-40A;RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1.7V;

特性

应用简介:

STD30PF03LT4-VB是一款P-Channel MOSFET,适用于多种应用领域,包括但不限于:

1.电源开关:由于其P沟道性质,可用于电源开关和电源逆变器。

2.电机驱动:适用于直流电机和步进电机的高功率驱动电路,提供高效的电流控制。

3.电源逆变器:用于太阳能逆变器和其他电源逆变器,提供高效的能量转换。

4.电源管理模块:适用于各种电源管理应用,如开关电源、电池管理等。


请注意,在具体设计中应仔细参考该器件的数据手册以及应用手册,以确保正确的使用和性能。


STD30PF03LT4数据手册

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