STSJ100NH3LL采用了ST专有STripFET的最新先进设计规则? 技术。该工艺与独特的金属化技术相结合，实现了SO-8中有史以来最先进的低压MOSFET。改进后的弹头降低了Rthj-c，提高了电流能力。

类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：STripFET™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25℃ ：3.5 毫欧 @ 12.5A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：25A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：40nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：4450pF @ 25V
功率 - 最大：3W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（3.9mm 宽），8-eSOIC. 8-HSOIC
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：*
其它名称：497-5785-2STSJ100NH3LL-ND

• 典型RDS（开）=0.0032? @ 10伏

• 4.5V时最佳RDS（开）x Qg权衡

• 开关损耗降低

• 低阈值装置

• 改进的接线盒热阻